1EDN7550BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7550BXTSA1 por Infineon e 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7550BXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,59 $0,29
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential Truly Differential Input (TDI)
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de junção de operação -40 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Função — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fichas técnicas e recursos

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