1EDN8511BXUSA1 vs 2EDN7534FXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN8511BXUSA1 par Infineon et 2EDN7534FXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN8511BXUSA1 2EDN7534FXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,71
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Boîtier PG-SOT23-6-2 PG-DSO-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Low-Side, Dual Channel
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Input Voltage Range (logic pins) — -12 V to +22 V (absolute max)
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Output Polarity — Non-Inverting
Output Voltage Clamping — Active, to VDD
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: channel skew]
Under-Voltage Lockout — Yes
Broche d'activation — Yes
Température de fonctionnement — -40C to +125C

Fiches techniques et ressources

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