1N5711 vs 1N5711SB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1N5711 par STMicroelectronics et 1N5711SB par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1N5711 1N5711SB
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Diodes Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,11
Diode Type Small-signal Schottky barrier (RF) diode Small Signal Schottky Barrier Diode
Peak Reverse Voltage (VRRM) 70 V 70 V
Continuous Forward Current (IF) 15 mA —
Power Dissipation 430 mW 430 mW
Forward Voltage (VF) 0.41 V (at 1 mA, per MACOM) [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current]
Total Capacitance 2 pF —
Junction Capacitance (Cj) 1 pF [DATA_NEEDED: junction capacitance]
Dynamic Resistance 35 ohm —
Breakdown Voltage (VB) 70 V —
Switching Speed Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage) —
Junction Structure Metal-to-silicon junction with PN guard ring —
Boîtier DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass DO-35 (SOD-27) hermetic glass axial
Type de montage Through-Hole Through Hole
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Reverse Leakage Current [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR] —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Average Forward Current (IF(AV)) — 15 mA
Reverse Current (IR) — [DATA_NEEDED: reverse current at rated VR]
Reverse Recovery Time — Ultrafast (Schottky, no stored charge)
Configuration — Single
Junction Material — Metal-to-silicon junction
Primary Applications — UHF/VHF detection, mixing, switching, pulse shaping
Matched Batches — Available on request (ST)

Fiches techniques et ressources

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