1N5711SB vs 1N5711 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1N5711SB par STMicroelectronics et 1N5711 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1N5711SB 1N5711
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Diodes Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,18
Diode Type Small Signal Schottky Barrier Diode Small-signal Schottky barrier (RF) diode
Peak Reverse Voltage (VRRM) 70 V 70 V
Average Forward Current (IF(AV)) 15 mA —
Power Dissipation 430 mW 430 mW
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] 0.41 V (at 1 mA, per MACOM)
Reverse Current (IR) [DATA_NEEDED: reverse current at rated VR] —
Junction Capacitance (Cj) [DATA_NEEDED: junction capacitance] 1 pF
Reverse Recovery Time Ultrafast (Schottky, no stored charge) —
Configuration Single —
Boîtier DO-35 (SOD-27) hermetic glass axial DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass
Type de montage Through Hole Through-Hole
Junction Material Metal-to-silicon junction —
Primary Applications UHF/VHF detection, mixing, switching, pulse shaping —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Matched Batches Available on request (ST) —
Continuous Forward Current (IF) — 15 mA
Total Capacitance — 2 pF
Dynamic Resistance — 35 ohm
Breakdown Voltage (VB) — 70 V
Switching Speed — Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage)
Junction Structure — Metal-to-silicon junction with PN guard ring
Reverse Leakage Current — [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR]

Fiches techniques et ressources

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