2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2108S06FXUMA1 par Infineon et 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2ED2108S06FXUMA1 | 2ED21834S06JXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,30 | $0,89 |
| Driver Configuration | Half-Bridge | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Gate Type | N-Channel MOSFET, IGBT | — |
| Nombre de sorties | 2 (high-side + low-side) | — |
| Logic Input | Non-Inverting | — |
| Input Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | 650 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | Yes |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VB) | — |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | — |
| Rise / Fall Time (typ.) | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | — |
| Boîtier | PG-DSO-8-53 (DSO-8) | PG-DSO-14-49 (DSO-14) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Half-Bridge Gate Driver IC |
| Configuration | — | Half-bridge (high-side + low-side) |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | — | 650 V |
| Typical Sink Current | — | 2.5 A |
| Typical Source Current | — | 2.5 A |
| Input Logic | — | Non-Inverting |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| Nombre de broches | — | 14 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40 °C to +125 °C |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 |