2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2108S06FXUMA1 par Infineon et 2ED2183S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2ED2108S06FXUMA1 | 2ED2183S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,30 | $1,05 |
| Driver Configuration | Half-Bridge | — |
| Number of Drivers | 1 | 1 |
| Gate Type | N-Channel MOSFET, IGBT | — |
| Nombre de sorties | 2 (high-side + low-side) | 1 (half-bridge: high-side + low-side) |
| Logic Input | Non-Inverting | — |
| Input Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | 650 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VB) | VCC and VBS |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | — |
| Rise / Fall Time (typ.) | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Boîtier | PG-DSO-8-53 (DSO-8) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | 2 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Configuration | — | High Side, Low Side, Non-Inverting |
| Maximum Offset Voltage | — | 650 V |
| Output Current (Sink/Source) | — | 2.5 A typical |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Supply (VBS) | — | 10 V to 20 V (typ.) |
| Logic Input Voltage | — | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) |
| Input Type | — | Non-Inverting |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Terminal Finish | — | Tin (e3 per JESD-609) |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) |