2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2304S06FXUMA1 par Infineon et 2ED21064S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2304S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,85
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Fonction — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Topologie — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Fiches techniques et ressources

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