2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2304S06FXUMA1 por Infineon e 2ED21064S06JXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2304S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $0,85
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 2 [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Função — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Topologia — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Temperatura de operação — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Fichas técnicas e recursos

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