2ED3140MC12LXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2ED3140MC12LXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2ED3140MC12LXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,38 | $1,45 |
| Product Type | Isolated Gate Driver | — |
| Topologie | Dual-channel, half-bridge capable | — |
| Number of Channels | 2 | — |
| Peak Source Current | 6 A | 13.5 A |
| Peak Sink Current | 6.5 A | 14 A |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5700 Vrms | — |
| Isolation Technology | Capacitive coupling (coreless transformer) | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| UVLO Threshold | 8.5 V | — |
| Supported Switches | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET up to 2300 V | — |
| Dead-Time Control | Integrated, resistor-programmable | — |
| Boîtier | PG-DSO-14-71 (DSO-14 wide-body, 300 mil) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature] | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: propagation delay] | — |
| Creepage Distance | >8 mm (per package) | — |
| Safety Certification | UL 1577 recognized | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Channel Configuration | Independent or half-bridge | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |
| Statut RoHS | — | Compliant |