2EDL8033G4BXTMA1 vs IR2104STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4BXTMA1 par Infineon et IR2104STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4BXTMA1 IR2104STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,49 $0,59
Topologie Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) —
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) —
Input Logic Compatibility TTL 3.3 V, 5 V, 15 V logic
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
Boîtier PG-VDSON-8-5 8-SOIC (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Marking Code 2ED8033G4B —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-side and low-side referenced output channels
Nombre de sorties — 2 (high-side + low-side)
Offset Voltage (High-Side, Max) — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ) — 0.21 A
Output Sink Current (typ) — 0.36 A
Rise Time (typ) — 100 ns
Fall Time (typ) — 50 ns
Propagation Delay (typ) — 680 ns
Turn-On Propagation Delay (typ) — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay (typ) — 130 ns
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) — 150 uA
Shutdown Pin — Yes (active-low shutdown input)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Cross-Conduction Prevention — Yes (matched propagation delay)
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +150 C

Fiches techniques et ressources

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