2EDL8033G4CXTMA1 vs 6EDL04N03PRXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4CXTMA1 par Infineon et 6EDL04N03PRXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4CXTMA1 6EDL04N03PRXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,84 $1,85
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Nombre de sorties 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSSOP-25
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Three-phase gate driver (6-channel half-bridge)
Number of Drivers — 6
Configuration de sortie — Non-inverting half-bridge
Supply Voltage (VDD) — 10 V to 25 V
Logic Supply Voltage (VSS) — 3.3 V / 5 V
Output Current (Source) — 0.24 A
Output Current (Sink) — 0.375 A
Temps de montée — 60 ns (typical at 1 nF load)
Temps de descente — 26 ns (typical at 1 nF load)
Bootstrap Diode — Integrated (3 channels)
Over-Current Protection — Yes (adjustable threshold via ITRIP)
Fault Output — Yes (open-drain)
Broche d'activation — Yes (EN, active-high)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Niveau MSL — 3
Blocking Voltage — 200 V / 600 V family

Fiches techniques et ressources

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