2EDL8033G4CXTMA1 vs 6EDL04N03PRXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon e 6EDL04N03PRXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL8033G4CXTMA1 6EDL04N03PRXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,84 $1,85
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Número de saídas 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSSOP-25
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Status RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Three-phase gate driver (6-channel half-bridge)
Number of Drivers — 6
Configuração de saída — Non-inverting half-bridge
Supply Voltage (VDD) — 10 V to 25 V
Logic Supply Voltage (VSS) — 3.3 V / 5 V
Output Current (Source) — 0.24 A
Output Current (Sink) — 0.375 A
Tempo de subida — 60 ns (typical at 1 nF load)
Tempo de descida — 26 ns (typical at 1 nF load)
Bootstrap Diode — Integrated (3 channels)
Over-Current Protection — Yes (adjustable threshold via ITRIP)
Fault Output — Yes (open-drain)
Pino de habilitação — Yes (EN, active-high)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Nível MSL — 3
Blocking Voltage — 200 V / 600 V family

Fichas técnicas e recursos

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