2EDN7534RXTMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN7534RXTMA1 par Infineon et 2EDN7533RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN7534RXTMA1 2EDN7533RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,40 $0,55
Fonction Low-side gate driver Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels 2 2
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL LV-TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) -12 V to +22 V
Configuration de sortie Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C

Fiches techniques et ressources

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