2EDN7534RXTMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EDN7534RXTMA1 제조: Infineon 및 2EDN7533RXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EDN7534RXTMA1 2EDN7533RXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.40 $0.55
기능 Low-side gate driver Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels 2 2
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL LV-TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) -12 V to +22 V
출력 구성 Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
동작 온도 -40C to +125C —
패키지 PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (unlimited) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
동작 접합 온도 — -40 C to +150 C

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청