2EDN7534RXTMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDN7534RXTMA1 por Infineon e 2EDN7533RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDN7534RXTMA1 2EDN7533RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,40 $0,55
Função Low-side gate driver Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels 2 2
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL LV-TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) -12 V to +22 V
Configuração de saída Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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