2EDR8258XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2EDR8258XXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2EDR8258XXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $1,45 |
| Product Type | Isolated single-channel gate driver | — |
| Isolation Technology | Magnetic (coreless transformer) coupling | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Number of Channels | 1 | — |
| Nombre de sorties | 2 (high-side and low-side, half-bridge) | 1 |
| Peak Source Current | 5 A | 13.5 A |
| Peak Sink Current | 9 A | 14 A |
| Galvanic Isolation (rms) | 5700 Vrms | — |
| Galvanic Isolation (peak) | 8000 Vpk | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 150 V/ns | — |
| Propagation Delay (typical) | 38 ns | — |
| Driver Supply Voltage (VCC, VBS) | 8 V to 20 V | — |
| Input Supply Voltage (VDD) | 3 V to 5.5 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C | — |
| Boîtier | PG-DSO-14 (14-pin) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Protection Features | UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection | — |
| Logic Input | Non-inverting, CMOS compatible | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |