2EDR8258XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2EDR8258XXUMA1 от Infineon и 1ED3124MC12HXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2EDR8258XXUMA1 2EDR8258XXUMA1 - 5A/9A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

2EDR8258XXUMA1 - 5A/9A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

2EDR8258XXUMA1 ✓ Активен
Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2EDR8258XXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,74 $1,45
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Magnetic coupling (coreless transformer)
Number of Channels 1 —
Количество выходов 2 (high-side and low-side, half-bridge) 1
Peak Source Current 5 A 13.5 A
Peak Sink Current 9 A 14 A
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
Диапазон рабочих температур -40 °C to +125 °C —
Корпус PG-DSO-14 (14-pin) PG-DSO-8 (DSO-8)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Время нарастания — 15 ns
Время спада — 30 ns
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену