2N7002L vs 2N7002-7-F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002L par onsemi et 2N7002-7-F par Diodes Incorporated. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002L 2N7002-7-F
Marque onsemi Diodes Incorporated
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,03 $0,08
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET Trench MOSFET
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier SOT-23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS max) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 115 mA
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) — 105 mA to 210 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 370 mW
On-Resistance RDS(on) — 7.5 ohm to 13.5 ohm
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge typical]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Terminal Finish — Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208)
Channel Mode — Enhancement

Fiches techniques et ressources

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