A3P600-1FGG484I vs A3P600-FG484 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de A3P600-1FGG484I par Microchip Technology et A3P600-FG484 par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
A3P600-1FGG484I A3P600-1FGG484I - 600K Gate Flash FPGA 235 I/O | Microchip

A3P600-1FGG484I - 600K Gate Flash FPGA 235 I/O | Microchip

A3P600-1FGG484I ✓ Actif
Microchip Technology
A3P600-FG484 A3P600-FG484 - ProASIC3 600K-Gate Flash FPGA, 484-BGA | Microchip

A3P600-FG484 - ProASIC3 600K-Gate Flash FPGA, 484-BGA | Microchip

A3P600-FG484 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre A3P600-1FGG484I A3P600-FG484
Marque Microchip Technology Microchip Technology
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $79,60 $56,30
Family ProASIC3 ProASIC3 (Flash FPGAs)
System Gates 600000 —
VersaTiles (D-flip-flops) 13824 —
User I/Os 235 —
Boîtier 484-ball FBGA (FGG484) 484-pin FBGA, 23x23 mm
Speed Grade -1 —
Core Voltage 1.5 V —
Technology 130 nm flash process —
Logic Architecture VersaTile (LUT / D-flip-flop / latch) —
Configuration Memory On-chip flash (nonvolatile, single chip) On-chip flash (non-volatile, instant-on)
System Performance Up to approx. 231 MHz (per Utmel family comparison) 231 MHz
I/O Banks 4 (A3P600 per Microchip migration note) —
Température de fonctionnement Industrial (-40C to +100C), I suffix 0C to +85C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Reprogrammability Live reprogrammable (in-system) —
Number of Dedicated RAM Blocks [DATA_NEEDED: embedded memory blocks] —
Max User Flash Memory [DATA_NEEDED: embedded flash capacity] —
DLL/PLL Resources [DATA_NEEDED: clock conditioning resources] —
Total Gates — 600000 gates
Number of Registers — 13824
VersaTiles (Logic Elements) — 13824
Maximum User I/O — 235 I/O
Process Technology — 130 nm, 7-layer metal flash
Core Supply Voltage — 1.425 V to 1.575 V
Embedded Memory — Embedded block SRAM (18 kbit blocks)
Soft Processor Support — ARM Cortex-M1 (optional soft core)
Statut RoHS — RoHS3 Compliant (lead-free per FGG variant)
Packaging — Tray
Programming — In-system programmable via JTAG, no external boot device

Fiches techniques et ressources

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