AS4C256M16D3L-12BCNTR vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C256M16D3L-12BCNTR par Alliance Memory et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C256M16D3L-12BCNTR | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $14,32 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.283V ~ 1.45V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Boîtier | 96-FBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Courant d'alimentation | [DATA_NEEDED: Supply Current] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Nombre de broches | — | 96 |