AS4C256M16D3L-12BCNTR vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C256M16D3L-12BCNTR von Alliance Memory und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C256M16D3L-12BCNTR | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,00 | $14,32 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.283V ~ 1.45V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Gehäuse | 96-FBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Versorgungsstrom | [DATA_NEEDED: Supply Current] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gb |
| Datenrate | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Anzahl der Pins | — | 96 |