AT45DB041E-SSHN2B-T vs AT45DB041E-SHN2B-T Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AT45DB041E-SSHN2B-T par Renesas Electronics et AT45DB041E-SHN2B-T par Renesas Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Renesas Electronics
AT45DB041E-SSHN2B-T AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ Actif
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AT45DB041E-SHN2B-T AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas

AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas

AT45DB041E-SHN2B-T ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AT45DB041E-SSHN2B-T AT45DB041E-SHN2B-T
Marque Renesas Electronics Renesas Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,40 $0,92
Type de mémoire Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) NOR Flash (DataFlash, SPI)
Taille de mémoire 4 Mbit (4,194,304 bits) 4 Mbit (512K x 8) plus 128 kbits extra
Organisation de la mémoire 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) 2048 pages x 256 bytes (or 2112 x 264 bytes)
Type d'interface SPI (Modes 0 and 3) / RapidS SPI (3-wire: SI, SO, SCK + CS)
Fréquence d'horloge maximale 85 MHz 85 MHz
Supply Voltage (Vcc) 1.65 V to 3.6 V —
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C -40C to +85C (industrial)
Boîtier 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) 8-SOIC (EIAJ 208mil, 5.23 mm body width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Page Size 256 bytes / 264 bytes 256 bytes (or 264 bytes binary page mode)
SRAM Buffers 2 x 256/264 bytes (dual buffer) —
Sector / Block Erase Page erase as small as 256 bytes —
Write Protection Hardware, Software, and Absolute write protection —
Power-on Reset Yes (integrated) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Supply Voltage (VCC) — 1.65 V to 3.6 V
SRAM Buffer — Dual, 256/264 bytes
Packaging — Tape & Reel
Sector Erase Size — 64 KB (4 KB block, 256-byte page erase)
Standby Current — [DATA_NEEDED: deep power-down typical value]

Fiches techniques et ressources

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