AT45DB041E-SSHN2B-T vs AT45DB041E-SHN2B-T Comparação

Comparação detalhada lado a lado de AT45DB041E-SSHN2B-T por Renesas Electronics e AT45DB041E-SHN2B-T por Renesas Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Renesas Electronics
AT45DB041E-SSHN2B-T AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ Ativo
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AT45DB041E-SHN2B-T AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas

AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas

AT45DB041E-SHN2B-T ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro AT45DB041E-SSHN2B-T AT45DB041E-SHN2B-T
Marca Renesas Electronics Renesas Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,40 $0,92
Tipo de memória Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) NOR Flash (DataFlash, SPI)
Tamanho da memória 4 Mbit (4,194,304 bits) 4 Mbit (512K x 8) plus 128 kbits extra
Organização da memória 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) 2048 pages x 256 bytes (or 2112 x 264 bytes)
Tipo de interface SPI (Modes 0 and 3) / RapidS SPI (3-wire: SI, SO, SCK + CS)
Frequência máxima de clock 85 MHz 85 MHz
Supply Voltage (Vcc) 1.65 V to 3.6 V —
Temperatura de operação -40 °C to +85 °C -40C to +85C (industrial)
Encapsulamento 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) 8-SOIC (EIAJ 208mil, 5.23 mm body width)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Page Size 256 bytes / 264 bytes 256 bytes (or 264 bytes binary page mode)
SRAM Buffers 2 x 256/264 bytes (dual buffer) —
Sector / Block Erase Page erase as small as 256 bytes —
Write Protection Hardware, Software, and Absolute write protection —
Power-on Reset Yes (integrated) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Supply Voltage (VCC) — 1.65 V to 3.6 V
SRAM Buffer — Dual, 256/264 bytes
Packaging — Tape & Reel
Sector Erase Size — 64 KB (4 KB block, 256-byte page erase)
Standby Current — [DATA_NEEDED: deep power-down typical value]

Fichas técnicas e recursos

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