AT45DB041E-SSHN2B-T vs AT45DB041E-SHN2B-T 비교
다음의 상세 나란히 비교: AT45DB041E-SSHN2B-T 제조: Renesas Electronics 및 AT45DB041E-SHN2B-T 제조: Renesas Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Renesas Electronics
AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas
AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ 활성Renesas Electronics
AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas
AT45DB041E-SHN2B-T ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | AT45DB041E-SSHN2B-T | AT45DB041E-SHN2B-T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.40 | $0.92 |
| 메모리 유형 | Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) | NOR Flash (DataFlash, SPI) |
| 메모리 크기 | 4 Mbit (4,194,304 bits) | 4 Mbit (512K x 8) plus 128 kbits extra |
| 메모리 구성 | 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) | 2048 pages x 256 bytes (or 2112 x 264 bytes) |
| 인터페이스 유형 | SPI (Modes 0 and 3) / RapidS | SPI (3-wire: SI, SO, SCK + CS) |
| 최대 클록 주파수 | 85 MHz | 85 MHz |
| Supply Voltage (Vcc) | 1.65 V to 3.6 V | — |
| 동작 온도 | -40 °C to +85 °C | -40C to +85C (industrial) |
| 패키지 | 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) | 8-SOIC (EIAJ 208mil, 5.23 mm body width) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | 256 bytes / 264 bytes | 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) |
| SRAM Buffers | 2 x 256/264 bytes (dual buffer) | — |
| Sector / Block Erase | Page erase as small as 256 bytes | — |
| Write Protection | Hardware, Software, and Absolute write protection | — |
| Power-on Reset | Yes (integrated) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage (VCC) | — | 1.65 V to 3.6 V |
| SRAM Buffer | — | Dual, 256/264 bytes |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Sector Erase Size | — | 64 KB (4 KB block, 256-byte page erase) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: deep power-down typical value] |