ATSAMG55J19A-MU vs ATSAMG55J19A-AU Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ATSAMG55J19A-MU par Microchip Technology et ATSAMG55J19A-AU par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
ATSAMG55J19A-MU ATSAMG55J19A-MU - Cortex-M4 MCU 120MHz 512KB Flash 64-QFN | Microchip

ATSAMG55J19A-MU - Cortex-M4 MCU 120MHz 512KB Flash 64-QFN | Microchip

ATSAMG55J19A-MU ✓ Actif
Microchip Technology
ATSAMG55J19A-AU ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ATSAMG55J19A-MU ATSAMG55J19A-AU
Marque Microchip Technology Microchip Technology
Catégorie Microcontrollers Microcontrollers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,42 $3,99
Core Processor ARM Cortex-M4F (with FPU) —
Core Size 32-Bit —
Maximum CPU Speed 120 MHz —
Program Memory Size 512 KB Flash —
RAM Size Up to 176 KB SRAM —
Tension d'alimentation 3.0 V to 3.6 V —
Température de fonctionnement -40C to +85C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Boîtier 64-pin QFN (7.5x7.5 mm) 64-LQFP (10x10 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
USB Interface USB 2.0 Full-Speed with on-chip PHY —
Audio Interface I2S / TDM (up to 2 instances) I2S with PDM/TDM and sample-rate converter
ADC [DATA_NEEDED: ADC resolution and channel count] 12-bit SAR
Active Current (picoPower) 100 uA/MHz —
Deep Sleep Current <7 uA with SRAM retention Below 7 uA with SRAM retention
Wake-up Time Down to 3 us from deep sleep —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Core Architecture — ARM Cortex-M4 with FPU
Core Clock Speed (max) — 120 MHz
Instruction Set — 32-bit RISC + DSP extensions + FPU (single-precision)
Program Flash Memory — 512 KB (512K x 8)
SRAM (Total) — 160 KB
Backup SRAM with Retention — 16 KB (retained in deep sleep)
Supply Voltage (VDDIO/VDDCORE) — 1.62 V to 3.6 V
USB — USB 2.0 Full-Speed device/host
Communication Peripherals — USART/UART, SPI, TWI (I2C), I2S, HS USB
External Bus Interface (EBI) — Yes (for SRAM/SDRAM/NOR Flash expansion)
Active Power Consumption — Down to 100 uA/MHz
Wake-up Time (deep sleep to first instruction) — Down to 3 us
Lifecycle / New Design Recommendation — Active (new designs: consider ATSAMG55J19B Revision B)

Fiches techniques et ressources

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