ATSAMG55J19A-MU vs ATSAMG55J19A-AU Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ATSAMG55J19A-MU от Microchip Technology и ATSAMG55J19A-AU от Microchip Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Microchip Technology
ATSAMG55J19A-MU ATSAMG55J19A-MU - Cortex-M4 MCU 120MHz 512KB Flash 64-QFN | Microchip

ATSAMG55J19A-MU - Cortex-M4 MCU 120MHz 512KB Flash 64-QFN | Microchip

ATSAMG55J19A-MU ✓ Активен
Microchip Technology
ATSAMG55J19A-AU ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ATSAMG55J19A-MU ATSAMG55J19A-AU
Бренд Microchip Technology Microchip Technology
Категория Microcontrollers Microcontrollers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,42 $3,99
Core Processor ARM Cortex-M4F (with FPU) —
Core Size 32-Bit —
Maximum CPU Speed 120 MHz —
Program Memory Size 512 KB Flash —
RAM Size Up to 176 KB SRAM —
Напряжение питания 3.0 V to 3.6 V —
Рабочая температура -40C to +85C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Корпус 64-pin QFN (7.5x7.5 mm) 64-LQFP (10x10 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
USB Interface USB 2.0 Full-Speed with on-chip PHY —
Audio Interface I2S / TDM (up to 2 instances) I2S with PDM/TDM and sample-rate converter
ADC [DATA_NEEDED: ADC resolution and channel count] 12-bit SAR
Active Current (picoPower) 100 uA/MHz —
Deep Sleep Current <7 uA with SRAM retention Below 7 uA with SRAM retention
Wake-up Time Down to 3 us from deep sleep —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Core Architecture — ARM Cortex-M4 with FPU
Core Clock Speed (max) — 120 MHz
Instruction Set — 32-bit RISC + DSP extensions + FPU (single-precision)
Program Flash Memory — 512 KB (512K x 8)
SRAM (Total) — 160 KB
Backup SRAM with Retention — 16 KB (retained in deep sleep)
Supply Voltage (VDDIO/VDDCORE) — 1.62 V to 3.6 V
USB — USB 2.0 Full-Speed device/host
Communication Peripherals — USART/UART, SPI, TWI (I2C), I2S, HS USB
External Bus Interface (EBI) — Yes (for SRAM/SDRAM/NOR Flash expansion)
Active Power Consumption — Down to 100 uA/MHz
Wake-up Time (deep sleep to first instruction) — Down to 3 us
Lifecycle / New Design Recommendation — Active (new designs: consider ATSAMG55J19B Revision B)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену