AUIRFB8409 vs IRFB4110PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AUIRFB8409 par Infineon et IRFB4110PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | AUIRFB8409 | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,80 | $1,55 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (planar-trench MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 195 A | — |
| Courant de drain pulsé | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) | 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title) | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 375 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | TO-220AB (through-hole) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Qualification | Automotive Grade (AEC-Q101 family) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet] | Compliant (Pb-free suffix) |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |