BAT42 vs BAT43-R0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BAT42 par STMicroelectronics et BAT43-R0 par Taiwan Semiconductor. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BAT42 BAT43-R0
Marque STMicroelectronics Taiwan Semiconductor
Catégorie Diodes Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,02 $0,02
Diode Type Small Signal Schottky Barrier Small Signal Schottky Barrier
Repetitive Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Average Forward Current (IF(AV)) 200 mA 200 mA
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 4 A 4 A
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: reverse leakage current] —
Junction Operating Temperature up to 125 C -65C to +125C
Switching Speed Fast (Schottky, no reverse recovery) —
Boîtier DO-35 axial through-hole DO-35 axial glass (through hole)
Configuration Single diode Single diode
Technology Metal-to-silicon Schottky junction with guard ring ESD protection —
Type de montage Through Hole Through Hole
Application Class General purpose fast switching —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Manufacturer STMicroelectronics —
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Maximum Forward Voltage (VF) — 1 V
Power Dissipation — 200 mW
Reverse Recovery — Fast switching (Schottky, majority carrier)
ESD Protection — Fast guard ring against excessive voltage (ESD)
Forward Voltage Turn-On — Very low turn-on voltage
Capacitance (Cj) — [DATA_NEEDED: junction capacitance]
Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: reverse leakage current]
Packaging Type — [DATA_NEEDED: tape/reel or bulk option]

Fiches techniques et ressources

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