BSC011N03LSATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC011N03LSATMA1 par Infineon et BSC0911NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC011N03LSATMA1 BSC0911NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) 30 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Technology — OptiMOS trench MOSFET
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

Fiches techniques et ressources

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