BSC011N03LSATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC011N03LSATMA1 por Infineon e BSC0911NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC011N03LSATMA1 BSC0911NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,54 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) 30 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Technology — OptiMOS trench MOSFET
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

Fichas técnicas e recursos

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