BSC011N03LSTATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC011N03LSTATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC011N03LSTATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | NRND | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 39 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 2 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 72 nC | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 115 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |