BSC014N04LSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSATMA1 par Infineon et BSZ017NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC014N04LSATMA1 | BSZ017NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $0,64 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.7 mΩ |
| On-Resistance Test Current | — | 20 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V @ 250 µA |
| Total Gate Charge Qg | — | 30 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2000 pF @ VDS=12V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 50 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Series / Family | — | OptiMOS 5 25V |