BSC014N04LSATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSATMA1 par Infineon et BSZ031NE2LS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,26
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL]
Part Number — BSZ031NE2LS5ATMA1
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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