BSC014N04LSATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014N04LSATMA1 por Infineon e BSZ031NE2LS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014N04LSATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,26
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL]
Part Number — BSZ031NE2LS5ATMA1
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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