BSC014N04LSATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC014N04LSATMA1 por Infineon y BSZ031NE2LS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC014N04LSATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,26
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL]
Part Number — BSZ031NE2LS5ATMA1
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes

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