BSC014N04LSIATMA1 vs IPB020N10N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSIATMA1 par Infineon et IPB020N10N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSIATMA1 IPB020N10N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $3,30
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +175C
Boîtier PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) PG-TO263-3 (D2PAK-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB020N10N5ATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) — 176 A
On-Resistance RDS(on) max — 2 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Channel Type — N-Channel
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix)

Fiches techniques et ressources

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