BSC014N04LSIATMA1 vs IPB020N10N5ATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC014N04LSIATMA1 メーカー: Infineon および IPB020N10N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC014N04LSIATMA1 | IPB020N10N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.39 | $3.30 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 C to +150 C | -55C to +175C |
| パッケージ | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | PG-TO263-3 (D2PAK-3) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPB020N10N5ATMA1 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 120 A |
| Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) | — | 176 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 375 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix) |