BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon et BSC019N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014NE2LSIATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $1,21
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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