BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon e BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014NE2LSIATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $1,21
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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