BSC016N06NSATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC016N06NSATMA1 par Infineon et BSC093N15NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC016N06NSATMA1 | BSC093N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $1,83 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | 30 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.6 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 139 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | 10 V | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 150V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 87 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 9.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 139 W |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | — | 10 V |
| Sans halogène | — | [DATA_NEEDED: halogen free status] |