BSC018N04LSGATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC018N04LSGATMA1 par Infineon et BSC054N04NSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC018N04LSGATMA1 | BSC054N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,52 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 125 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25°C | 2.5 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C (TJ) | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| JEDEC Qualification | Yes (qualified per JEDEC for target applications) | — |
| Part Number | — | BSC054N04NSGATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 81 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 17 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 57 W |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Lead-Free Reflow | — | Yes |