BSC018N04LSGATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC018N04LSGATMA1 от Infineon и BSC054N04NSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC018N04LSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,52 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 30 A —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 125 W —
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C 2.5 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 1.8 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C
Корпус PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
JEDEC Qualification Yes (qualified per JEDEC for target applications) —
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Уровень MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену