BSC019N04LSTATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N04LSTATMA1 par Infineon et BSC019N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC019N04LSTATMA1 BSC019N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,21 $0,92
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
Boîtier TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC019N06NSATMA1
Technology / Family — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.95 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ — 3.3 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 136 W
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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