BSC019N04LSTATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC019N04LSTATMA1 por Infineon e BSC019N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC019N04LSTATMA1 BSC019N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,21 $0,92
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC019N06NSATMA1
Technology / Family — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.95 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ — 3.3 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 136 W
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação