BSC021N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC021N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC027N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC021N08NS5ATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,81 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC021N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | 226 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage V_GS max | ±20 V | — |
| Power Dissipation P_D (Tc=25°C) | 214 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Total Gate Charge Q_G typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| R_thJC thermal resistance max | [DATA_NEEDED: R_thJC] | — |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Niveau MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Delivery Form | Tape & Reel (T&R) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 83 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Sans halogène | — | Yes |