BSC021N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC021N08NS5ATMA1 por Infineon e BSC027N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC021N08NS5ATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,81 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC021N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | 226 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage V_GS max | ±20 V | — |
| Power Dissipation P_D (Tc=25°C) | 214 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulamento | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Total Gate Charge Q_G typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| R_thJC thermal resistance max | [DATA_NEEDED: R_thJC] | — |
| Status RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Nível MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Delivery Form | Tape & Reel (T&R) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | — | 83 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55°C to +150°C |
| Livre de halogênio | — | Yes |