BSC021N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC021N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC021N08NS5ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.81 $0.54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC021N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 226 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) 214 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Total Gate Charge Q_G typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
R_thJC thermal resistance max [DATA_NEEDED: R_thJC] —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) Compliant
MSLレベル MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Delivery Form Tape & Reel (T&R) —
Product Family — OptiMOS 3
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
消費電力(TC=25°C) — 83 W
動作温度範囲 — -55°C to +150°C
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼