BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC022N04LS6ATMA1 par Infineon et BSC023N08NS5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,66 | $1,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |