BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC022N04LS6ATMA1 メーカー: Infineon および BSC023N08NS5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ 生産中
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BSC023N08NS5SCATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC022N04LS6ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.66 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 79 W —
パッケージ SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
ピン数 8 —
動作温度 -55 C to +175 C (junction) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C

データシート&リソース

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