BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC022N04LS6ATMA1 par Infineon et BSC0901NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC022N04LS6ATMA1 BSC0901NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 79 W —
Boîtier SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Nombre de broches 8 —
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Fiches techniques et ressources

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